设备介绍
SIMS D-SIMS（二次离子质谱）
掺杂和组分的深度分析
主要功能
Si、SiGe、SiC、GaN、GaAs、InP、CdTe等掺杂和组分深度分析
技术指标
深度分辨率高，检测限低
应用领域
掺杂剖面分析、界面分析
咨询与预约
江苏第三代半导体研究院有限公司
中国江苏苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城东北区38栋
电话：15111145911
网址：www.iasemi.cn