设备介绍
CL-EBIC CL/EBIC（阴极荧光/电子束诱导电流）
常温阴极荧光/电子束诱导感生电流
主要功能
1. 常温/低温CL核心功能是探测电子束轰击样品后产生的阴极荧光光子信号，获取材料的发光特性信息。该系统可实现阴极荧光全谱及单谱扫描成像、光谱采集以及高光谱面分布分析； 2. EBIC核心功能是通过检测半导体样品在电子束轰击下产生的感应电流来成像。该技术能精准定位集成电路中的短路、开路等电学活性缺陷，以及可视化PN结位置与载流子复合特性，为半导体器件的失效分析和质量评估提供关键电学信息。
技术指标
1. CL厂家：北京金竟科技的阴极荧光（CL）系统
配有低温CL模块：最低温度液氮78K
CL成像模式：单色、全色、RGB CL成像
光谱采集方式：点扫描、线扫描、面扫描；全光谱、单光谱成像
光谱响应范围：200 – 1100 nm
光谱分辨率：≤ 0.2 nm（@1200g/mm光栅）
探测器类型：单通道探测器（PMT）、多通道探测器（CCD）
2. EBiC设备检测信号：电子束感生电流（EBIC）
横向分辨率：通常为20 nm ～ 500 nm，取决于SEM条件及样品特性
可加偏压：±9V
配有低温CL模块：最低温度液氮78K
CL成像模式：单色、全色、RGB CL成像
光谱采集方式：点扫描、线扫描、面扫描；全光谱、单光谱成像
光谱响应范围：200 – 1100 nm
光谱分辨率：≤ 0.2 nm（@1200g/mm光栅）
探测器类型：单通道探测器（PMT）、多通道探测器（CCD）
2. EBiC设备检测信号：电子束感生电流（EBIC）
横向分辨率：通常为20 nm ～ 500 nm，取决于SEM条件及样品特性
可加偏压：±9V
应用领域
1. CL核心功能包括全谱/单谱扫描成像、光谱采集及高光谱面分布分析，可直观揭示材料的成分、应力、缺陷、掺杂及能带结构等微观信息。CL广泛应用于半导体材料和器件失效分析与工艺改进、地质、光电材料与纳米结构研究等 2. EBIC技术主要应用于半导体与微电子行业，半导体失效分析：精确定位集成电路中的短路、开路及漏电路径；器件特性表征：可视化PN结位置与分布；测定少数载流子扩散长度与寿命；材料研究：表征太阳能电池的晶界与电学活性；检查半导体晶圆质量，揭示层错、位错等晶体缺陷
咨询与预约
江苏第三代半导体研究院有限公司
中国江苏苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城东北区38栋
电话：15111145911
网址：www.iasemi.cn