返回设备列表
ICPCVD PlasmaPro 100 电感耦合等离子体化学气相沉积
收费与计费
计费方式: 按时长计费
单价: 800元/小时（0.5h起约）
预约上机
  • 800 小时
委托加工
  • 1120 小时
镀膜

ICPCVD PlasmaPro 100 电感耦合等离子体化学气相沉积

型号：PlasmaPro 100

设备介绍

暂无设备介绍

主要用途

用于低温制备氮化硅、氧化硅、氮氧硅等介质薄膜。

技术指标
1、样品尺寸：6英寸以下兼容
2、生长材料：SiO2、SiNx、SiON
3、气体配置：CF4、O2、N2、Ar、SiH4、N2O
登录后预约
工艺案例
ICPCVD PlasmaPro 100 电感耦合等离子体化学气相沉积工艺案例

暂无案例描述

咨询服务

联系我们

电话：15111145911

邮箱：rdai2021@iasemi.cn

同类设备
ICPCVD PlasmalabSystem 100 电感耦合等离子体化学气相沉积
暂无厂商信息
600元/小时（0.5h起约）
光学镀膜机 OC
暂无厂商信息
1000元/小时
反应磁控溅射 RSputter
暂无厂商信息
800元/小时
原子层薄膜沉积 ALD
暂无厂商信息
800元/小时
等离子体增强化学气相沉积 PECVD
暂无厂商信息
800元/小时