收费与计费
计费方式:
按时长计费
单价:
800元/小时
预约上机
- 800 小时
委托加工
- 1120 小时
镀膜
低压化学气相沉积 LPCVD
型号：LG/LP-3
设备介绍
暂无设备介绍
主要用途
用于高温制备氮化硅薄膜、硅晶圆表面生长高质量二氧化硅薄膜、长时间高温退火工艺
技术指标
工艺能力1：SiN 炉管
1、样品尺寸:2英寸、4英寸、6英寸兼容
2、均匀性:±3%
3、升温速率:≤15℃/min
4、降温速率:2-5℃/min
5、工艺气体：SiH2Cl2，NH3，N2
6、工艺温度:750-850℃
7、工艺控压范围:20-100Pa
8、单批次产能：25pcs
工艺能力2：干氧氧化炉管
1、样品尺寸:标准2英寸，4英寸，6英寸
2、升温速率:≦15℃/min
3、降温速率:2-5℃/min
4、管内恒温区:400mm
5、工艺气体：O2,N2
6、工艺温度:600-1050℃
7、工艺控压范围:常压
8、单批次产能：25pcs
工艺能力3：高温退火炉管
1、样品尺寸:标准2吋，4吋，6吋
2、升温速率:≦15℃/min
3、降温速率:2-5℃/min
4、管内恒温区:400mm
5、工艺气体：N2
6、工艺温度:400-1050℃
7、工艺控压范围:常压
单批次产能：25pcs
1、样品尺寸:2英寸、4英寸、6英寸兼容
2、均匀性:±3%
3、升温速率:≤15℃/min
4、降温速率:2-5℃/min
5、工艺气体：SiH2Cl2，NH3，N2
6、工艺温度:750-850℃
7、工艺控压范围:20-100Pa
8、单批次产能：25pcs
工艺能力2：干氧氧化炉管
1、样品尺寸:标准2英寸，4英寸，6英寸
2、升温速率:≦15℃/min
3、降温速率:2-5℃/min
4、管内恒温区:400mm
5、工艺气体：O2,N2
6、工艺温度:600-1050℃
7、工艺控压范围:常压
8、单批次产能：25pcs
工艺能力3：高温退火炉管
1、样品尺寸:标准2吋，4吋，6吋
2、升温速率:≦15℃/min
3、降温速率:2-5℃/min
4、管内恒温区:400mm
5、工艺气体：N2
6、工艺温度:400-1050℃
7、工艺控压范围:常压
单批次产能：25pcs
工艺案例
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