工艺设备列表

提供先进的第三代半导体器件工艺加工设备

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全部设备 光刻 刻蚀 镀膜 微纳加工 清洗 测试
原子层刻蚀机 ALE
原子层刻蚀机 ALE

刻蚀

1000元/小时 （0.5h起约）
电感耦合等离子刻蚀机 ICP
电感耦合等离子刻蚀机 ICP

刻蚀

1000元/小时 （0.5h起约）
反应等离子刻蚀机 RIE
反应等离子刻蚀机 RIE

刻蚀

1000元/小时 （0.5h起约）
电感耦合等离子体刻蚀机 ICP1
电感耦合等离子体刻蚀机 ICP1

刻蚀

1000元/小时 （0.5h起约）
电感耦合等离子体刻蚀机 ICP2
电感耦合等离子体刻蚀机 ICP2

刻蚀

1000元/小时 （0.5h起约）
离子束刻蚀机 IBE
离子束刻蚀机 IBE

刻蚀

500元/小时 （0.5h起约）
ICPCVD PlasmaPro 100 电感耦合等离子体化学气相沉积
ICPCVD PlasmaPro 100 电感耦合等离子体化学气相沉积

镀膜

800元/小时（0.5h起约）
ICPCVD PlasmalabSystem 100 电感耦合等离子体化学气相沉积
ICPCVD PlasmalabSystem 100 电感耦合等离子体化学气相沉积

镀膜

600元/小时（0.5h起约）